
Кoмпaния Samsung сдeлaлa знaчитeльный шaг в рaзвитии микрoсxeм DDR5 DRAM, прeдстaвив пeрвую в мире 32-гигабитную микросхему.
Чип была разработана с http://www.рецепты.in.ua/stejk-ti-boun-vkusnejshee-myaso-s-prostymi-usloviyami-gotovki использованием 12-нм технологического процесса DRAM и предлагает увеличенную кряжистость хранения данных при больше низком энергопотреблении.
Это победа позволит Samsung создавать модули DIMM с большей емкостью. А именно, можно будет создавать модули памяти объемом 1 ТБ, состоящие с 40 стеков памяти 8-Hi 3DS с использованием микросхем емкостью 32 Гб.
Невзирая на первоначальное впечатление чрезмерности таковой большой памяти, она горазд весьма важной для серверов, работающих с искусственным интеллектом, обработкой больших объемов данных и управлением базами данных, обеспечивая вычислительную нагрузка, необходимую для решения сложных задач.
Равным образом стоит отметить, что перед этим существовали слухи о возможной сделке посереди Samsung и AMD относительно производства будущих микросхем на центров обработки данных. Сии слухи утверждали, что Samsung получила заказы получай производство 4-нм микросхем через одного из крупных заказчиков ЦОД, может, AMD.