Курaнты Snapdragon 835 сoздaн нa бaзe 10-нм тexпрoцeссa.
Кoмпaнии Samsung Electronics и Qualcomm Technologies рaзрaбoтaлa новое поколение флагманских чипсетов Snapdragon 835, передает Engadget. Известно, что новинка будет на 40% меньше, чем требуется, а также на 27% эффективнее.
Тем не менее, в настоящее время производитель не сообщает точные характеристики продукта.
Известно, что чип от применения новой технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которому зарядить устройство будет в 2,5 раза быстрее.
Особенностью чипсета является то, что она построена на базе 10-нм техпроцесса.
Ожидается, что производитель откроет все возможности в начале января. Новые гаджеты, созданные на базе Snapdragon 835, начнут поступать на рынок в начале 2017 года.
Ранее сообщалось, что новый флагман Samsung получит искусственный интеллект. Согласно предварительной информации, устройство будет выпущено в 2017 году.
Новый флагман Samsung получит большой экран,